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Etude des mécanismes de conduction électrique à basse température

Il s’agit de développer un outil de caractérisation innovant des teneurs en dopants lors des procédés de purification du silicium métallurgique et silicium recyclé

Étude des mécanismes de conduction électrique à basse température

pour la détermination des teneurs en dopants

dans le Silicium photovoltaïque

 

Par Aurélie Fauveau

LHMJ Laboratoire HomojonctionIMEP_LAHC

 

Directeur de thèse : Dr Anne KAMINSKI      

IMEP/LHAC : UMR5130 Institut de Microélectronique Électromagnétisme et Photonique / Laboratoire d’Hyperfréquences et de Caractérisation  

Encadrants INES :   Jordi VEIRMAN & Benoît MARTEL

Période : Octobre 2014 – octobre 2017

 

Contexte et objectif :

Il s’agit de développer un outil de caractérisation innovant des teneurs en dopants lors des procédés de purification du silicium métallurgique et silicium recyclé, ou encore lors du co-dopage du silicium électronique. Il est basé sur l’exploitation des mécanismes complexes de conduction électrique du silicium à basse température.

 

Avancement / Résultats (prototype – démonstrateur) :

Définition de nouveaux facteurs de Hall dans le silicium de type n pour la mesure des dopants via la variation de densité de porteurs libres en température. Développement d’un protocole de mesure inédit, basé sur l’exploitation des mécanismes de conduction par hopping. Encadrement d’un stage ingénieur sur la spectroscopie d’effet Hall.

 

Impacts (brevet – publications- valorisation/dissémination envisagée) :

Poster aux Journées Nationales du Photovoltaïques (Décembre 2015), poster à SiliconPV (Mars 2016) avec publication dans Energy Procedia, présentation orale à l’E-MRS (Mai 2016) avec publication dans Physica Status Solidi-c, prix du meilleur poster à l’École Énergie Recherche (Mars 2016). Rédaction d’un article de journal en cours.

 

Fouveau_Aurélie

 
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