Accueil ITE – INESRecherche et InnovationThèses en coursDétermination de l’origine et de la nature des défauts cristallins dans le silicium solaire

Détermination de l'origine et de la nature des défauts cristallins dans le silicium solaire

Comprendre l’origine des défauts, notamment comprendre leur lien avec une origine possible « les contraintes thermomécaniques ».

Détermination de l’origine et de la nature

des défauts cristallins dans le silicium solaire

 

Par Artur LANTREIBECQ

 

 

Laboratoire DTS : Laboratoire  matériaux et procédés pour le solaire

Laboratoire d’accueil / Laboratoire partenaire :  Laboratoire des Matériaux et Procédés pour le Solaire (LMPS)

Période de thèse : novembre 2014 – novembre 2017

Directeur de thèse : Marc LEGROS & Jean phillipe MONCHOUX

Encadrant CEA : Etienne PIHAN 

 
Contexte et objectif :

La solidification dirigée avec germes permet de créer des lingots à bas prix et avec de bonnes propriétés PV. Ces lingots sont limités par la multiplication de défauts. L’objectif de ma thèse est de comprendre l’origine des défauts, notamment comprendre leur lien avec une origine possible « les contraintes thermomécaniques ».

Avancement / Résultats :

A l’aide de la microscopie électronique en transmission, des dislocations composant les sous joints de grains ont pu être identifiées comme se propageant à l’interface solide liquide. L’expansion des sous joints se ferait par l’intégration de dislocations générées par la contrainte dans le sous joint de grains.

Lantreibecq_Arthur

Impacts :

Ces études de compréhension serviront à modifier les protocoles de fabrication des lingots de silicium monolike pour limiter ou empêcher la multiplication des défauts cristallins.

Poster:            Nanomechanical testing – In situ High temperature tem tensile of mono-like

Présentation:  EDS 2016 – Dislocation structure near sub grain boundaries in mono-like PV Si

 

Investissements_d'avenir150px« Ce projet a bénéficié d’une aide de l’Etat au titre du programme d’Investissements d’avenir portant la référence
(ANR-10-ITE-0003) »