Accueil ITE – INESRecherche et InnovationThèses en coursSuivi de l’état de santé des onduleurs photovoltaïques à base de MOSFET en Carbure de Silicium

Suivi de l’état de santé des onduleurs photovoltaïques à base de MOSFET en Carbure de Silicium

Un modèle thermique est développé pour estimer la température de jonction des composants de puissance dans l’onduleur

Suivi de l’état de santé des onduleurs photovoltaïques

à base de MOSFET en Carbure de Silicium

 

ParMouhannad DBEISS

 

 


Contexte et objectif :

L’onduleur est considéré comme l’élément le plus défaillant dans le système photovoltaïque. Les MOSFETs en SiC vont remplacer les IGBTs en Si dans les prochaines années, vue leur meilleure performance, d’où l’intérêt de suivre l’état de santé des onduleurs photovoltaïques à base de MOSFET en SiC.

Avancement / Résultats :

Un modèle thermique est développé pour estimer la température de jonction des composants de puissance dans l’onduleur, suite à l’introduction d’un profil de courant produit dans une centrale photovoltaïque. Une manip de vieillissement accéléré des MOSFETs en SiC est en train de se préparer.

 
DBeiss

Impacts :

Exhibition SGE  Juin 2016 G2ELab Grenoble : « Estimation des contraintes électrothermiques sur les composants semi-conducteurs dans les onduleurs photovoltaïques »

Brevet en cours de préparation.

 

Investissements_d'avenir150px« Ce projet a bénéficié d’une aide de l’Etat au titre du programme d’Investissements d’avenir portant la référence
(ANR-10-ITE-0003) »