Les équipes CEA à l’INES viennent d’accueillir en salle blanche un nouvel outil pour le dopage de plaquettes de silicium : le « Pulsion™ Solar » (cf. photo). Cet équipement permet l’implantation par immersion plasma d’éléments dopants afin de réaliser des jonctions électriques de haute qualité. En remplacement des procédés de diffusion thermique par voie gazeuse, il permettra d’améliorer les performances des cellules photovoltaïques, de gagner en flexibilité et de réduire les coûts de fabrication.

    Le prototype fabriqué par la société française IBS (ion beam services) possède une cadence de traitement allant jusqu’à 2000 plaques par heure. Les tests en conditions de production sont en cours, tout comme plusieurs projets collaboratifs pour continuer le développement et la montée en maturité de cette technologie prometteuse.

    Contact : thibaut.desrues@cea.fr